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Effective gate length determination of AlGaN/GaN HEMTs from direct measurements of thermal signatures 相关领域
宽禁带半导体
光电子学
材料科学
热的
氮化镓
高电子迁移率晶体管
晶体管
纳米技术
图层(电子)
物理
气象学
电压
量子力学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Arpit Sahu; Bazila Parvez; Mahalaxmi Patil; Subhajit Basak; Jyoti Sahu; et al 出版日期:2024-03-18 |
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