Modelling the Gunn Diodes Based on Variband Semiconductors;

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标题	Modelling the Gunn Diodes Based on Variband Semiconductors; 相关领域二极管耿氏二极管半导体物理放松（心理学）偶极子电子功率（物理）焊剂（冶金）原子物理学功能（生物学）光电子学材料科学量子力学进化生物学生物心理学社会心理学冶金
网址	https://doi.org/10.1615/telecomradeng.v59.i12.100
DOI	10.1615/telecomradeng.v59.i12.100 doi
其它	期刊：Telecommunications and Radio Engineering 作者：І. P. Storozhenko 出版日期：2003-01-01
求助人	赖新儿在 2025-10-15 15:29:52 发布自贵州，悬赏 30 积分
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