Degradation mechanisms of InP-based high-electron-mobility transistors under 1 MeV electron irradiation

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标题	Degradation mechanisms of InP-based high-electron-mobility transistors under 1 MeV electron irradiation 相关领域跨导辐照材料科学通量电子迁移率电子束处理电子电容晶体管光电子学降级（电信）感应高电子迁移率晶体管高电子迁移率晶体管振荡（细胞信号）分析化学（期刊）电气工程化学电极电压物理量子力学核物理学工程类生物化学物理化学色谱法
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab6cd0
DOI	10.1088/1361-6463/ab6cd0 doi
其它	期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Shuxiang Sun; Bo Yang; Yinghui Zhong; Yu Xiao Li; Peng Ding; et al 出版日期：2020-01-16
求助人	sshx 在 2025-10-09 19:25:35 发布自海南，悬赏 10 积分
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