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Degradation mechanisms of InP-based high-electron-mobility transistors under 1 MeV electron irradiation
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网址
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab6cd0
DOI
10.1088/1361-6463/ab6cd0 doi
其它 期刊：Journal of Physics D Applied Physics
作者：Shuxiang Sun; Bo Yang; Yinghui Zhong; Yu Xiao Li; Peng Ding; et al
出版日期：2020-01-16
求助人
sshx 在 2025-10-09 19:25:35 发布自海南，悬赏 10 积分
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