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 On-Chip Gate ESD Protection for AlGaN/GaN E-Mode Power HEMT Delivering >2kV HBM ESD Capability 提供>2kV HBM ESD能力的AlGaN/GaN E模式功率HEMT片上栅极ESD保护
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期刊： 作者：Chao Zhou; Yiqiang Chen; King‐Yuen Wong; Yueshi Guan; Jingyu Shen; et al 出版日期：2019-10-01 |
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(2025-6-4)
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