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 Understanding the Role of Shape Imperfections on the Bit Error Rates of STT-MRAM Under External Magnetic Fields 理解形状缺陷对外部磁场下STT-MRAM误码率的作用
相关领域
磁阻随机存取存储器
位（键）
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频道（广播）
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Sonalie Ahirwar; Ankit Kumar; S. Van Beek; S. Arya; Dimitri Linten; et al 出版日期：2025-01-01 |
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