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  Digital active gate drive of SiC MOSFETs for controlling switching behavior—Preparation toward universal digitization of power switching 用于控制开关行为的SiC MOSFET的数字有源栅极驱动——为功率开关的普遍数字化做准备
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期刊：International Journal of Circuit Theory and Applications 作者：Hajime Takayama; Takafumi Okuda; Takashi Hikihara 出版日期：2021-09-05 |
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