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 Hybrid Integration of Gate-All-Around Stacked Si Nanosheet FET and Si/SiGe Super-Lattice FinFET to Optimize 6T-SRAM for N3 Node and Beyond 全栅极堆叠Si纳米片FET和Si/SiGe超晶格FinFET的混合集成，以优化N3节点及以上的6T-SRAM
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xuexiang Zhang; Jiaxin Yao; Yanna Luo; Lei Cao; Yantong Zheng; et al 出版日期：2024-02-02 |
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