The Challenges and Solutions of Cu/SiCN Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding Scaling Down to 400nm Pitch

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标题	The Challenges and Solutions of Cu/SiCN Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding Scaling Down to 400nm Pitch Cu/SiCN晶圆间混合键合缩小至400nm间距的挑战与解决方案相关领域缩放比例材料科学薄脆饼晶片键合覆盖电介质可靠性（半导体）光电子学工程物理纳米技术电子工程计算机科学工程类几何学数学功率（物理）物理量子力学程序设计语言
网址	http://dx.doi.org/10.1109/IEDM45741.2023.10413829
DOI	10.1109/IEDM45741.2023.10413829 doi
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