| 标题 |
The role of AlN thickness in MOCVD growth of N-polar GaN 相关领域
金属有机气相外延
材料科学
蓝宝石
氮化镓
位错
氮化物
透射电子显微镜
化学气相沉积
宽禁带半导体
邻接
光电子学
极地的
外延
结晶学
图层(电子)
复合材料
纳米技术
光学
化学
激光器
物理
有机化学
天文
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|