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  Shallow donor and DX state in Si doped AlN nanowires grown by molecular beam epitaxy 分子束外延生长Si掺杂AlN纳米线中的浅施主和DX态
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Rémy Vermeersch; Éric Robin; A. Cros; Gwénolé Jacopin; B. Daudin; et al 出版日期：2021-12-27 |
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