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[求助补充材料]
Performance Limit of Gate-All-Around Si Nanowire Field-Effect Transistors: An Ab Initio Quantum Transport Simulation 全栅极硅纳米线场效应晶体管的性能极限:从头算量子输运模拟
相关领域
材料科学
纳米线
场效应晶体管
晶体管
物理
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期刊:Physical review applied 作者:Shiqi Liu; Qiuhui Li; Chen Yang; Jie Yang; Lin Xu; et al 出版日期:2022-11-30 |
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