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 Enhanced reliability of Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric memory through WOx buffer layer to minimize oxygen vacancies 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Guodong Zhang; Hongdi Wu; Xu Xiao; Shiyao Lin; Zhidong Zhang; et al 出版日期：2025-09-15 |
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