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标题
Simulation of Total Ionizing Dose Effects Technique for CMOS Inverter Circuit
CMOS反相电路总电离剂量效应技术的仿真
相关领域
NMOS逻辑 PMOS逻辑 吸收剂量 逆变器 CMOS芯片 材料科学 晶体管 光电子学 绝缘体上的硅 辐照 电子工程 电气工程 MOSFET 电压 硅 工程类 物理 核物理学
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/14/7/1438/pdf?version=1689679...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov preprints.org nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi14071438 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Tianzhi Gao; Chenyu Yin; Yaolin Chen; Ruibo Chen; Cong Yan; et al
出版日期：2023-07-18
求助人
babyuer 在 2025-08-29 01:06:58 发布，悬赏 10 积分
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  • 1小时前

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