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 Temperature dependence of hole impact ionization coefficients in 4H and 6H-SiC 4H和6H-SiC中空穴碰撞电离系数的温度依赖性
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期刊：Solid-State Electronics 作者：R. Raghunathan; B. Jayant Baliga 出版日期：1999-02-01 |
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