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Interface-Engineered HfO2/Al2O3 Nanolaminate Gate Insulators for InGaZnO Thin-Film Transistors and 2T0C DRAM Applications |
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期刊:ACS Applied Electronic Materials 作者:Sang Han Ko; Sung Min Yoon 出版日期:2025-08-27 |
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(2025-6-4)