Engineering interface-type resistance switching based on forming current compliance in ITO/Ga2O3:ITO/TiN resistance random access memory: Conduction mechanisms, temperature effects, and electrode influence

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标题	Engineering interface-type resistance switching based on forming current compliance in ITO/Ga2O3:ITO/TiN resistance random access memory: Conduction mechanisms, temperature effects, and electrode influence
网址	https://doi.org/10.1063/1.4966181
DOI	10.1063/1.4966181 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Chih-Hung Pan; Ting‐Chang Chang; Tsung‐Ming Tsai; Kuan‐Chang Chang; Po‐Hsun Chen; et al 出版日期：2016-10-31
求助人	呆一起在 2026-07-27 16:56:26 发布自江西，悬赏 10 积分
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