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 Quasi-Zero-Dimensional Source/Drain Contact for Fermi-Level Unpinning in a Tungsten Diselenide (WSe₂) Transistor: Approaching Schottky-Mott Limit |
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- 标题：Quasi-Zero-Dimensional Source/Drain Contact for Fermi-Level Unpinning in a Tungsten Diselenide (WSe₂) Transistor: Approaching Schottky-Mott Limit - 期刊：*ACS Nano* - 年份：2025 - 卷期：19(37), 31240–31249 - DOI：10.1021/acsnano.5c04687 - 核心内容：提出准零维接触结构，通过维度降低效应大幅削弱界面偶极与MIGS贡献，在WSe₂晶体管中实现钉扎因子S=0.95（巴丁极限对应S→0，理想肖特基-莫特极限对应S=1），是目前实验上最接近理想无钉扎状态的结果之一。 |
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