| 标题 |
 Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction 采用p型SnO异质结的高迁移率增强模式Ga2O3场效应管
相关领域
立体化学
化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xunxun Wang; Shiqi Yan; Wenxiang Mu; Zhitai Jia; Jiawei Zhang; et al 出版日期：2022-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
bc
Oracle
平常的毛豆
cdercder
余味
我剑也未尝不利
昏睡的蟠桃
pluto
iNk
xiahou
斯寜
归尘
高大凌寒
back you up
研友_Y59785
Li
zho
善良的剑通
pcr163
冰魂
皖公网安备34019202002308
