Impact of Al2O3 and HfO2 Gate Dielectrics on Photoresponse of Graphene Channel Field-Effect MWIR Photodetectors with HgCdTe Absorber

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标题	Impact of Al2O3 and HfO2 Gate Dielectrics on Photoresponse of Graphene Channel Field-Effect MWIR Photodetectors with HgCdTe Absorber
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-025-120...
DOI	10.1007/s11664-025-12038-8 doi
其它	期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Md Fazle Rabbe; Volodymyr Sheremet; M. A. H. Sojib; Vitaliy Avrutin; Ümit Ӧzgür; et al 出版日期：2025-06-04
求助人	大熊在 2026-03-06 20:23:18 发布自上海，悬赏 10 积分
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