| 标题 |
[高分]
SiO 2 Etching Mechanisms Under Low-Temperature PF 5 /C 4 F 6 Plasma Conditions 相关领域
蚀刻(微加工)
氟
感应耦合等离子体
分析化学(期刊)
钝化
基质(水族馆)
等离子体
反应离子刻蚀
材料科学
四极杆质量分析仪
活化能
等离子体刻蚀
化学
激进的
聚合物
薄脆饼
干法蚀刻
各向同性腐蚀
限制
四极
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期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者:Ho June Chang; H. Kim; Jun Yeob Lee; Min Gyu Kim; Jun Woo Son; et al 出版日期:2025-08-01 |
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