Low sidewall damage plasma etching using ICP-RIE with HBr chemistry of Si/SiGe resonant interband tunnel diodes

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标题	[高分] Low sidewall damage plasma etching using ICP-RIE with HBr chemistry of Si/SiGe resonant interband tunnel diodes
网址	https://doi.org/10.1049/el:20060323
DOI	10.1049/el:20060323 doi
其它	期刊：Electronics Letters 作者：S.-Y. Park; S.-Y. Chung; P.R. Berger; R. Yu; P.E. Thompson 出版日期：2006
求助人	研友_LJemK8 在 2026-04-28 21:22:48 发布自山东，悬赏 100 积分
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