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Ultra-low reverse leakage NiOx/β-Ga2O3 heterojunction diode achieving breakdown voltage >3 kV with plasma etch field-termination 超低反向泄漏NiOx/β-Ga2O3异质结二极管通过等离子体蚀刻场终止实现击穿电压>3 kV
相关领域
光电子学
材料科学
二极管
反向漏电流
异质结
泄漏(经济)
等离子体
击穿电压
反向偏压
电压
电气工程
物理
肖特基二极管
工程类
宏观经济学
经济
量子力学
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期刊:AIP Advances 作者:Yizheng Liu; Saurav Roy; Carl Peterson; Arkka Bhattacharyya; Sriram Krishnamoorthy 出版日期:2025-01-01 |
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