| 标题 |
Improvement in Junction Breakdown and GIDL using MFLA in DRAM Product 在DRAM产品中使用MFLA改善结击穿和GIDL
相关领域
动态随机存取存储器
德拉姆
PMOS逻辑
材料科学
退火(玻璃)
透射电子显微镜
光电子学
NMOS逻辑
泄漏(经济)
电气工程
电压
复合材料
晶体管
纳米技术
经济
宏观经济学
工程类
半导体存储器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of The Electrochemical Society 作者:Shian-Jyh Lin; Chao‐Sung Lai; Sheng-Tsung Chen; Yi-Jung Chan; Ruey‐Dar Chang; et al 出版日期:2011-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)