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标题
Modeling and Simulation of Nanometer Al-Doped Dual Channel Double Material Gate MgZnO/ZnO HEMT for High-Frequency Applications
用于高频应用的纳米Al掺杂双沟道双材料栅极MgZnO/ZnO HEMT的建模与仿真
相关领域
材料科学 高电子迁移率晶体管 纳米 兴奋剂 光电子学 频道（广播） 电气工程 复合材料 晶体管 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s42341-025-00667-z
DOI
10.1007/s42341-025-00667-z doi
其它 期刊：Transactions on Electrical and Electronic Materials
作者：K. Vinothkumar; A. Kaleel Rahuman
出版日期：2025-08-17
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mynuongga 在 2025-12-23 13:07:31 发布自越南，悬赏 10 积分
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