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  Dopant selection rules for desired electronic structure and vacancy formation characteristics of TiO2 resistive memory TiO2电阻存储器所需电子结构和空位形成特性的掺杂剂选择规则
相关领域
掺杂剂
电阻随机存取存储器
材料科学
兴奋剂
空位缺陷
价（化学）
密度泛函理论
电子结构
化学物理
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纳米技术
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Liang Zhao; Seong-Geon Park; Blanka Magyari-Köpe; Yoshio Nishi 出版日期：2013-02-25 |
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