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 Assessment of stress contributions in GaN high electron mobility transistors of differing substrates using Raman spectroscopy 用拉曼光谱评估不同衬底GaN高电子迁移率晶体管中的应力贡献
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Thomas E. Beechem; Adam Christensen; D. S. Green; Samuel Graham 出版日期：2009-12-01 |
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