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Broadband High‐Power GaN SPDT Switch Using Stacked‐Shunt Fets and Resonance Inductors 相关领域
高电子迁移率晶体管
单片微波集成电路
插入损耗
回波损耗
宽带
材料科学
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期刊:Microwave and Optical Technology Letters 作者:Khelifa Hettak; Tyler Ross; Gabriel Cormier; Jim Wight 出版日期:2013-06-27 |
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