Investigation of dual work function metal (DWFM) gate stacks with ALD TaAlN and TaAlC for multi threshold voltages (VTHs) engineering in MOS device integration

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标题	Investigation of dual work function metal (DWFM) gate stacks with ALD TaAlN and TaAlC for multi threshold voltages (VTHs) engineering in MOS device integration
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980012...
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108352 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Moonsuk Choi; Jihyeon Sim; Hyeongjun Kim; Hyun Jin Lim; Ki Sub Kim; Changhwan Choi 出版日期：2024-03-21
求助人	kalisu24 在 2026-05-18 23:12:45 发布自天津，悬赏 10 积分
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