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Single-Event Effects and Corresponding Nanoscale Microstructure in β-Ga 2 O 3 UMOSFETs: Device Reliability and Failure Mechanism 相关领域
材料科学
微观结构
可靠性(半导体)
纳米尺度
失效机理
机制(生物学)
复合材料
比例(比率)
失效模式及影响分析
降级(电信)
冶金
光电子学
可靠性工程
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| 其它 |
期刊:2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者:Da Yu; Huidong Yao; Xuanze Zhou; Qi Liu; Song He; et al 出版日期:2026-05-24 |
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