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  Study of Dopant Activation in Silicon Employing Differential Hall Effect Metrology (DHEM) 利用差分霍尔效应计量(DHEM)研究硅中掺杂剂的活化
相关领域
掺杂剂
电阻率和电导率
材料科学
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兴奋剂
霍尔效应
退火（玻璃）
分析化学（期刊）
硅
计量学
掺杂剂活化
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Abhijeet Joshi; Bülent M. Başol 出版日期：2022-01-01 |
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