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 Large Capacitive Memory Window Achieved in Ferroelectric HZO Capacitor with NbOx Insertion Layer for Non-Destructive Read 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zi-Ying Huang; Hongyan Zhu; Lei Shen; Xiaoxu Li; Zhan-Yuan Huang; et al 出版日期：2025-01-01 |
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