Fast switching Ga2O3 Schottky barrier power diode with beveled-mesa and BaTiO3 field plate edge termination

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标题	Fast switching Ga2O3 Schottky barrier power diode with beveled-mesa and BaTiO3 field plate edge termination 相关领域斜面材料科学 GSM演进的增强数据速率肖特基二极管肖特基势垒光电子学二极管金属半导体结梅萨工程类计算机科学结构工程电信程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1063/5.0231974
DOI	10.1063/5.0231974 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Nanling Sun; Hehe Gong; Tiancheng Hu; Feng Zhou; Zhengpeng Wang; et al 出版日期：2024-10-21
求助人	清新的沛蓝在 2025-10-15 20:04:47 发布自浙江，悬赏 10 积分
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