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 Atomic Layer Deposition of SiO2 for the Performance Enhancement of Fin Field Effect Transistors 原子层沉积SiO2提高鳍状场效应晶体管性能
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Kazuhiko Endo; Yuki Ishikawa; Takashi Matsukawa; Yongxun Liu; Shinya Matsufuji; et al 出版日期：2013-10-25 |
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