标题 |
6.6W/mm 200mm CMOS compatible AlN/GaN/Si MIS-HEMT with in-situ SiN gate dielectric and low temperature ohmic contacts
6.6 W/mm 200mm CMOS兼容AlN/GaN/Si原位SiN栅介质低温欧姆接触MIS-HEMT
相关领域
欧姆接触
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
原位
电介质
栅极电介质
电气工程
晶体管
纳米技术
化学
图层(电子)
电压
工程类
有机化学
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网址 | |
DOI |
10.1109/iedm45741.2023.10413676
doi
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其它 |
期刊: 作者:E. Morvan; Y. Gobil; Fanny Morisot; J. Biscarat; Matthew Charles; et al 出版日期:2023-12-09 |
求助人 | |
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