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标题
Full capacitance model, considering the specifics of amorphous oxide semiconductor thin film transistors structures
考虑非晶氧化物半导体薄膜晶体管结构特殊性的全电容模型
相关领域
钝化 电容 材料科学 薄膜晶体管 光电子学 半导体 晶体管 阈值电压 无定形固体 饱和（图论） 电压 电气工程 图层（电子） 电极 纳米技术 化学 工程类 数学 组合数学 有机化学 物理化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.031
DOI
10.1016/j.sse.2019.03.031 doi
其它 期刊：Solid-State Electronics
作者：A. Cerdeira; M. Estrada; Y. Hernandez-Barrios; I. Hernández; Benjamı́n Iñiguez
出版日期：2019-03-15
求助人
evens 在 2025-12-23 14:12:40 发布自湖南，悬赏 10 积分
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