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 Influence of Inner Crucible Radius Variation on the Thermal Field and Oxygen Transport in the Melt During the Growth of Silicon by Continuous Czochralski Method 连续直拉法硅生长过程中内坩埚半径变化对熔体中热场和氧输运的影响
相关领域
坩埚（大地测量学）
材料科学
半径
硅
微下拉
氧气
热的
直拉法
领域（数学）
冶金
复合材料
热力学
化学
计算化学
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物理
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数学
计算机科学
纯数学
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期刊：Silicon 作者：Jiacheng Li; Xuekang Lv; Rongrong Hu; Salamat Ali; Gengjin Li; et al 出版日期：2024-10-24 |
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