Influence of the Passivation Layers on the Self-Heating Effect in the Double Channel AlGaN/GaN MOS-HEMT Device

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标题	Influence of the Passivation Layers on the Self-Heating Effect in the Double Channel AlGaN/GaN MOS-HEMT Device
网址	http://dx.doi.org/10.1134/s1063739723700233
DOI	10.1134/s1063739723700233 doi
其它	期刊：Russian Microelectronics 作者：Maryam Shaveisi; Peiman Aliparast 出版日期：2023-04-01
求助人	六六在 2026-08-26 07:01:42 发布自河南，悬赏 10 积分
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