High quality relaxed germanium layers grown on (110) and (111) silicon substrates with reduced stacking fault formation

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标题	High quality relaxed germanium layers grown on (110) and (111) silicon substrates with reduced stacking fault formation
网址	https://doi.org/10.1063/1.4825130
DOI	10.1063/1.4825130 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Van‐Huy Nguyen; A. Dobbie; M. Myronov; D. R. Leadley 出版日期：2013-10-17
求助人	lululemon 在 2026-08-28 12:01:13 发布自美国，悬赏 10 积分
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