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 Effects of GaN barrier thickness on built-in electric field and internal quantum efficiency of blue InGaN/GaN multiple quantum wells LED structures GaN势垒厚度对蓝光InGaN/GaN多量子阱LED结构内建电场和内量子效率的影响
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：I. S. Romanov; I. А. Prudaev; V. V. Kopyev 出版日期：2016-04-22 |
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