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标题
Silicon Ultrathin Oxide (4.2 nm)–Polysilicon Structures Resistant to Field Damages
抗场损伤的超薄氧化硅（4.2 nm）-多晶硅结构
相关领域
绝缘体（电） 材料科学 氧化物 硅 半导体 光电子学 绝缘体上的硅 不对称 基质（水族馆） 电压降 凝聚态物理 电压 极性（国际关系） 电气工程 化学 物理 冶金 地质学 工程类 海洋学 细胞 量子力学 生物化学
网址
https://doi.org/10.1134/s1063782621010036
DOI
10.1134/s1063782621010036 doi
其它 期刊：Semiconductors
作者：D. A. Belorusov; E. I. Goldman; В. Г. Нарышкина; Г. В. Чучева
出版日期：2021-01-01
求助人
yuhuan 在 2025-08-29 22:00:46 发布，悬赏 10 积分
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