SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展

绝缘体上的硅 材料科学 光电子学
作者
余金中,陈少武,夏金松,王章涛,樊中朝,李艳萍,刘敬伟,杨笛,陈媛媛
标识
DOI:10.1360/ze2004-34-10-1081
摘要

SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型2×2热光波导光开关, 在此基础上首次研制出4×4和8×8 SOI平面集成波导光开关矩阵.

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