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  Self-formation of InAs/InGaAsSb type-II superlattice structures on InP substrates by MBE and their application to mid-infrared LEDs 用MBE法在InP衬底上自形成InAs/InGaAsSb II型超晶格结构及其在中红外发光二极管中的应用
相关领域
超晶格
电致发光
分子束外延
材料科学
光电子学
发光二极管
发光
外延
光谱学
图层（电子）
物理
纳米技术
量子力学
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期刊：AIP Advances 作者：Kou Uno; Naoto Iijima; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi 出版日期：2022-08-01 |
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