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Improved AC Drain Bias Stability in In–Zn–O TFTs with an Hf-Doped Heterobilayer Structure
相关领域
材料科学 薄膜晶体管 光电子学 兴奋剂 阈值电压 电子迁移率 压力（语言学） 偏压 图层（电子） 晶体管 纳米技术 电压 电气工程 语言学 工程类 哲学
网址
https://doi.org/10.1021/acsami.5c05480
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsami.5c05480 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Hyun-Ho Doh; H You; Hyun Jae Kim; Minki Son; Sejoong Kim; et al
出版日期：2025-07-03
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xyc 在 2026-10-30 10:07:14 发布自陕西，悬赏 10 积分
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