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 Growth of bulk 0.1 eV InAsSb on GaAs substrate with InAs-based intermediate buffer layer 具有InAs基中间缓冲层的GaAs衬底上体0.1 eV InAsSb的生长
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期刊： 作者：Seungwan Woo; Eungbeom Yeon; Ho Won Jang; Daehwan Jung; Won Jun Choi 出版日期：2023-10-10 |
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高贵春天
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