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Carbon and silicon background impurity control in undoped GaN layers grown with trimethylgallium and triethylgallium via metalorganic chemical vapor deposition |
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Marzieh Bakhtiary-Noodeh; Theeradetch Detchprohm; Russell D. Dupuis 出版日期:2023 |
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(2025-6-4)