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标题
Achieving an ultra-thin GaN channel layer in AlGaN/GaN/AlN high electron mobility transistors
相关领域
材料科学 光电子学 堆积 宽禁带半导体 电子迁移率 异质结 晶体管 表面粗糙度 高电子迁移率晶体管 图层(电子) 表面光洁度 氮化镓 阻挡层 应力松弛 电压 均方根 阈值电压 击穿电压 高压 频道(广播) 感应高电子迁移率晶体管 放松(心理学)
网址
DOI
10.1063/5.0333037 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:Junchuan Zhang; Jiaming Wang; Fujun Xu; Hao Tian; Wen Liu; et al
出版日期:2026
求助人
Even_YE 在 2026-05-11 13:29:47 发布自山西,悬赏 10 积分
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