Influence of ion-beam etching by Ar ions with an energy of 200–1000 eV on the roughness and sputtering yield of a single-crystal silicon surface

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标题	Influence of ion-beam etching by Ar ions with an energy of 200–1000 eV on the roughness and sputtering yield of a single-crystal silicon surface
网址	https://doi.org/10.1364/AO.455096
DOI	10.1364/AO.455096 doi
其它	期刊：Applied Optics 作者：M. S. Mikhailenko; A. E. Pestov; N. I. Chkhalo; M. V. Zorina; A. K. Chernyshev; et al 出版日期：2022
求助人	林林在 2026-03-15 20:35:56 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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