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Capacitance–conductance spectroscopic investigation of interfacial oxide layer in Ni/4H–SiC (0001) Schottky diode
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DOI
10.1016/j.physb.2013.10.042 doi
其它 期刊:Physica B: Condensed Matter
作者:Sanjeev K. Gupta; Bhawani Shankar; William R. Taube; Jitendra Singh; J. Akhtar
出版日期:2013-11-01
求助人
causl 在 2026-09-09 16:59:50 发布自江西,悬赏 10 积分
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