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Comparison of deep level incorporation in ammonia and rf‐plasma assisted molecular beam epitaxy n‐GaN films
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DOI
10.1002/pssc.200778622 doi
其它 期刊:physica status solidi c
作者:A. R. Arehart; A. Corrion; C. Poblenz; J. S. Speck; U. K. Mishra; et al
出版日期:2008-05-01
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829302yft 在 2026-09-12 17:26:52 发布自上海,悬赏 10 积分
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