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 Mobility and performance enhancement in compressively strained SiGe channel PMOSFETs 压缩应变SiGe沟道PMOSFET的迁移率和性能增强
相关领域
材料科学
光电子学
MOSFET
电子迁移率
短通道效应
电介质
栅极电介质
晶体管
降级（电信）
频道（广播）
电子工程
电气工程
工程类
电压
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期刊：Applied Surface Science 作者：Zhonghai Shi; David Onsongo; Sanjay K. Banerjee 出版日期：2003-11-15 |
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